RRAM）技术研究方面获得重要进展，研究论文（N. Xu, B. Gao, L.F. Liu, Bing Sun, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang, and B. Yu, “A Unified Physical Model of Switching Behavior in Oxide-Based RRAM”）被2008 VLSI Technology Symposia（超大规模集成电路技术会议）录用，将于今年6月在美国夏威夷召开的会议上宣读，这是VLSI Technology Symposia自1981举办以来首次接收第一作者单位来自中国大陆的论文，也是北京大学微电子学研究院在微电子器件研究领域所取得的又一项重要研究进展。

VLSI Symposia 、IEDM和ISSCC并称微电子领域的三大顶级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力。VLSI Symposia主要报道国际半导体技术研究方面最新研究进展，是世界半导体产业界各知名学术机构和企业报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台之一，近年来在集成电路技术领域的许多重大技术突破都是通过该会议平台正式宣布的。

阻变存储器被认为是新一代 “通用”存储器的主要候选技术之一，这次发表的论文主要是针对目前阻变存储器研究存在的工作机理不清，影响技术发展的瓶颈问题，提出了一个物理图象清晰、可完整描述阻变存储器件特性的模型，并给予了实验验证，这可为阻变存储器技术研究和性能优化提供理论指导。北京大学微电子学研究院连续在VLSI会议和IEDM发表论文，说明北大微电子学研究院在微电子器件和集成电路技术相关领域的研究工作已得到国际半导体技术学术界的认可，研究水平进入到国际前沿行列。

在本论文工作中，几位参加科研实践的本科生发挥了重要的作用，论文第一和第二作者均为大四年级的本科生，这体现了北京大学近年来在积极推动本科生参加科研实践，培养创新能力方面所取得的显著效果。

本论文的研究工作得到了国家973计划项目和国家自然科学基金项目的资助。