2019年10月21日，纳米器件物理与化学教育部重点实验室第三届学术委员会年度会议在北京大学中关新园一号楼集贤厅召开。主任委员解思深研究员和朱静教授、范守善教授、朱星教授等委员出席。

会议第一阶段由北京大学信息科学技术学院副院长、电子学系党总支书记侯士敏教授主持。北京大学科学研究部基地建设办公室主任张琰首先代表依托单位致欢迎词。实验室主任、电子学系主任彭练矛教授从基本情况、研究水平与贡献、研究队伍建设、学科建设与人才培养、开放交流与运行管理等方面对实验室在2013—2018年期间的建设与发展做了全面回顾和总结。上月被学校聘任的新任实验室主任张志勇教授表示将带领实验室坚持在碳基电子学等优势方向的深入研究和应用化发展，并加强在固态量子器件、智能传感器和系统等新兴方向的推进，进一步打造国际一流的纳米器件研究基地。

会议第二阶段由张志勇教授主持。实验室副主任王永锋研究员、魏贤龙研究员、陈剑豪研究员和新引进的贺小伟研究员先后以“界面结构调控与性质检测”、“新型片上微型电子源的研究”、“二维材料的原位与异位输运研究”、“碳纳米管量子发射器”为题，展示了实验室在多个研究方向的代表性成果。

随后，各位委员对实验室前五年的工作给予认真点评和充分肯定。实验室全体成员将充分体会和汲取委员所提出的积极建议，以《国务院关于全面加强基础科学研究的若干意见》为指导，加强多学科的交叉融合和核心团队的整合，发挥实验室在新型纳米器件领域的引领和推动作用，力争产出更多、更有国际影响力的成果。

北大科研部基地建设办公室李芳兵，电子学系徐洪起教授、叶安培教授、梁学磊教授等实验室固定人员，以及博士后和研究生近40人参加会议。